| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. EL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UNA REGION DE SUSTRATO DE CONDUCTIVIDAD TIPO P Y UNA REGION SEMICONDUCTORA DE TIPO N, DISPUESTA SOBRE LA REGION DE SUSTRATO EN FORMA DE CAPA Y FORMANDO CON ELLA UNA UNION PN. ESTA REGION SEMICONDUCTORA CONSTA DE DOS ZONAS: UNA INFERIOR, QUE CONTIENE UNA CONCENTRACION NETA MEDIA DE IMPUREZAS ELEVADA, UNA SUPERIOR, ENQUE LA CONCENTRACION DE IMPUREZAS ES MENOR. UNA PARTE DE LA REGION SEMICONDUCTORA ESTA DISPUESTA POR UNA REGION DE SEPARACION DE TIPO P. UN TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION ESTA DISPUESTO EN LA PARTE (3A).</p> |
