发明名称 THYRISTOR TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>11 48,753 The present invention is directed to a five region thyristor type semiconductor device which functions electrically as a bi-polar transistor and a field effect transistor.</p>
申请公布号 CA1135875(A) 申请公布日期 1982.11.16
申请号 CA19800347701 申请日期 1980.03.14
申请人 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA 发明人 YUKIMOTO, YOSHINORI
分类号 H01L29/80;H01L29/10;H01L29/74;H01L29/744;H01L29/76;H01L29/772;(IPC1-7):H01L29/42;01L29/74 主分类号 H01L29/80
代理机构 代理人
主权项
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