Halbleiter-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben

摘要

Ein vierter und fünfter Zwischenschicht-Isolationsfilm werden ausgebildet und ein Verbindungsloch, welches durch diese Filme hindurchgeht, wird ausgebildet. Das Verbindungsloch wird mit einem metallischen Pfropfen gefüllt. Die exponierte Oberfläche des fünften Zwischenschicht-Isolationsfilms und der metallische Pfropfen werden mittels Trockenätzens in einer Atmosphäre, die CF¶4¶-Gas enthält, rückgeätzt. Auf diese Weise wird der Stufenunterschied zwischen den Oberflächen des metallischen Pfropfens und des fünften Zwischenschicht-Isolationsfilms verringert. Die Form des Verbindungsloches ist derart gestaltet, daß seine Öffnung an ihrer oberen Stelle einen größeren Durchmesser hat. Die Oberflächen des fünften Zwischenschicht-Isolationsfilms und des metallischen Pfropfens werden einer Plasma-Atmosphäre, die Sauerstoff enthält, ausgesetzt, mit Licht einer Wellenlänge von einigen 10 nm bis 400 nm bestrahlt oder einer Sputter-Ätzung mittels Ar-Gas unterzogen.