| 发明名称 |
METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR STRUCTURE REDUCING LATERAL DISTANCE BETWEEN BURIED REGIONS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS57184230(A) |
申请公布日期 |
1982.11.12 |
| 申请号 |
JP19820022925 |
申请日期 |
1982.02.17 |
| 申请人 |
FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORP |
发明人 |
ROBAATO II KARUDOUERU |
| 分类号 |
H01L29/73;H01L21/265;H01L21/316;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762 |
主分类号 |
H01L29/73 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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