发明名称 PLANAR TRANSISTOR STRUCTURE
摘要 Structure plane de transistor constitue d'une plaquette de semiconducteur de conductivite n- formant une zone de collecteur et presentant une zone de base (11) et une zone d'emetteur (12) de conductivite n+ diffusees dans sa surface superieure et une couche de passivation (13). La couche de passivation (13) recouvre les parties de la surface superieure de la plaquette (10) qui ne servent pas de fenetre de contact. Dans le materiau de collecteur de conductivite n- est diffusee une zone annulaire de conductivite n+ qui entoure complete ment la zone de base (11). La couche de passivation s'etend sur cette zone annulaire (16). Soit la metallisation d'emetteur (14), soit la metallisation de la base (15) est prolongee au-dessus de la couche de passivation jusque dans la region de la zone annulaire (16).
申请公布号 WO8203949(A1) 申请公布日期 1982.11.11
申请号 WO1982DE00022 申请日期 1982.02.05
申请人 BOSCH GMBH ROBERT;HARTMUT MICHEL 发明人 HARTMUT MICHEL
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/417;H01L29/423;(IPC1-7):01L29/06 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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