| 摘要 |
本发明揭示一种作为用于含磁记忆单元的IC之一安全装置(30)的磁性元件之特殊结构，该等磁性元件如MRAM元件(10、11)。该结构可以包括具有预设反平行磁化方向的二或多个相关磁性元件(10、11)之一组合。藉由决定该等磁性元件之极化方向，可以侦测曝露于一外部磁场之情况。反转的极化方向指示一正常情形，对准的极化方向指示MRAM阵列已曝露于一外部磁场。采用此方法，可以侦测是否已试图采用一非法方法来抹除或改变储存于该MRAM中的资料。该IC可以在操作期间有规律地检查该安全系统的电阻。侦测到一磁场曝露之后，该IC可以抹除所有MRAM资料，或者可以自己重设或阻碍其功能。 |
