| 发明名称 |
GALLIUM NITRIDE-BASED III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHED OF PRODUCING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050075076(A) |
申请公布日期 |
2005.07.20 |
| 申请号 |
KR20040002849 |
申请日期 |
2004.01.15 |
| 申请人 |
POSTECH FOUNDATION;SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD. |
发明人 |
LEE, JONG LAM |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L33/10;H01L33/32;H01L33/36;(IPC1-7):H01L33/00 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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