| 主权项 |
1.一种制造一微机电器件之方法,其包含: 在一基板上至少形成第一及第二导电层; 在该第一与该第二导电层之间形成一隔离层; 将该第一及该第二导电层电耦接在一起; 移除该隔离层,以在该第一导电层与该第二导电层 之间形成一间隙;及 移除该隔离层后,电去耦该第一与该第二导电层。 2.如请求项1之方法,进一步包含形成一第三导电层 。 3.如请求项2之方法,其中形成一隔离层进一步包含 形成二隔离层。 4.如请求项1之方法,其中移除该隔离层包含对该隔 离层执行一蚀刻。 5.如请求项4之方法,其中执行一蚀刻包含执行一乾 式气体蚀刻。 6.如请求项5之方法,其中执行一乾式气体蚀刻包含 执行一二氟化氙蚀刻。 7.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在一 起包含从外部将该等导电层电耦接在一起。 8.如请求项7之方法,其中从外部将该等导电层电耦 接在一起包含使用一导线、应用一探针结构或使 用一离子化气体来移除该等隔离层。 9.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在一 起包含从内部将该等导电层电耦接在一起。 10.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在 一起包含使用一导线以提供电连接至该等导电层 。 11.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在 一起包含使用一导线以提供电连接至该等导电层, 接着将该导线连接至一通用电压电位。 12.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在 一起包含对于每一导电层使用导线,且将该等导线 全部电连接至同一电位。 13.如请求项1之方法,其中将该等导电层电耦接在 一起包含在该基板之一非活性区域将该等导电层 电耦接在一起。 14.如请求项1之方法,其中电耦接包含将该第一与 该第二导电层暂时地电耦接在一起。 15.如请求项1之方法,其中电耦接包含在制造期间 将该第一与该第二导电层电耦接在一起。 16.如请求项1之方法,其中电去耦该第一与该第二 导电层包含在该第一与该第二导电层之间实际地 分离一导电导线。 17.一种用于制造一微机电器件之装置,其包含: 一导线,其经组态以用于在一蚀刻程序之前将至少 二导电层去能地电连接在一起,其中该等至少二导 电层形成该微机电器件之至少一部分。 18.如请求项17之装置,其中该导线包含一外部导线, 其经组态以将该等导电层连接在一起。 19.如请求项17之装置,其中该导线包含一内部导电 连接,其经组态以将该等导电层连接在一起。 20.如请求项17之装置,其中该导线包含一导线,其经 组态以将该等导电层连接在一起,且连接至一通用 电位。 21.如请求项17之装置,其中该导线包含一导线,其经 组态以将该等导电层个别地连接至一通用电位。 22.如请求项17之装置,其中在一气体蚀刻腔室中制 备该导线。 23.如请求项17之装置,其中该等至少二导电层的其 中之一包含金属层。 24.如请求项17之装置,其中该等至少二导电层的其 中之一包含一电极。 25.如请求项17之装置,其中该导线系进一步经组态 以永久地去能电连接该等至少二导电层。 26.如请求项17之装置,其中该导线系进一步经组态 以在制造期间被电连接。 27.如请求项17之装置,其中该导线系进一步经组态 以在该蚀刻程序后被去能。 图式简单说明: 图1说明一使用一隔离层形成的微机电器件之一实 施。 图2说明一蚀刻处理期间所累积的一静电荷使得其 不能运作的一微机电器件之一实例。 图3说明一用于减轻蚀刻处理期间静电荷累积之影 响的装置之一实施例。 图4说明一用于减轻蚀刻处理期间静电荷累积之影 响的装置之一替代性实施例。 图5说明一用于制造一微机电器件之方法的一实施 例之流程图。 图6a及图6b说明用于减轻蚀刻处理期间静电荷之影 响的一替代性装置之实施例。 |
