| 主权项 |
1.一种电浆显示装置,其特征为具有: 第一面板,其系在内侧形成有维持放电电极与电介 质层;及 第二面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电 空间之方式贴合; 前述电介质层之陷阱密度在11018个/cm3以下。 2.一种电浆显示装置,其特征为具有: 第一面板,其系在内侧形成有维持放电电极与电介 质层;及 第二面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电 空间之方式贴合; 前述电介质层之可动金属离子密度在11018个/cm3以 下。 3.如请求项1或2之电浆显示装置,其中施加于前述 电介质层之电场强度在7104 V/cm以下。 4.如请求项1或2之电浆显示装置,其中施加于前述 电介质层之电场强度为E,前述电介质层之陷阱密 度或可动金属离子密度为N时,满足以下的关系式(1 ): LogN≦-E10-4/23+18+7/23 …(1)。 5.如请求项2之电浆显示装置,其中前述电介质层之 可动金属离子密度在11017个/cm3以下。 6.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述各维持 放电电极上沿着长度方向形成有滙流排电极,在前 述滙流排电极与前述电介质层之间,为防止金属自 滙流排电极扩散至前述电介质层,形成有厚度为数 nm~数十nm的隔离层。 7.如请求项1或2之电浆显示装置,其中在前述电介 质层之放电空间侧表面形成有保护膜,在前述电介 质层与保护膜之间,为减少载子植入前述电介质层 ,形成有厚度为数nm~数十nm的隔离层。 8.如请求项1之电浆显示装置,其中前述电介质层之 陷阱密度在11017个/cm3以下。 9.如请求项8之电浆显示装置,其中前述电介质层之 陷阱密度在51016个/cm3以下。 10.如请求项8之电浆显示装置,其中前述电介质层 之陷阱密度在11017个/cm3以下,1109个/cm3以上。 11.如请求项5、8~10中任一项之电浆显示装置,其中 施加于前述电介质层之电场强度在30104 V/cm以下 。 12.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述电介质 层系以真空成膜法而成膜之SiO2-x(其中x为0≦x<1.0) 膜。 13.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述电介质 层系藉由真空成膜法成膜之含氮的矽氧化物(SiON) 膜。 14.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述电介质 层系藉由涂敷法、印刷法或乾式膜法形成,且经焙 烧之玻璃糊浆电介质膜。 15.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述电介质 层系藉由化学汽相法成膜之氧化物或氮化物电介 质膜。 16.如请求项1或2之电浆显示装置,其中前述电介质 层系藉由化学汽相法成膜之含氮的氧化物电介质 膜。 17.如请求项1或2之电浆显示装置,其中在前述第二 面板之内侧形成有位址电极、隔开前述放电空间 之分隔壁、及配置于前述分隔壁间之萤光体层。 18.如请求项17之电浆显示装置,其中于前述位址电 极之放电空间侧的内侧形成有电介质膜, 前述电介质膜之陷阱密度在11018个/cm3以下。 19.如请求项17之电浆显示装置,其中于前述位址电 极之放电空间侧的内侧形成有电介质膜, 前述电介质膜之可动金属离子密度在11018个/cm3以 下。 20.如请求项18之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质膜之电场强度在7104 V/cm以下。 21.如请求项19之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质膜之电场强度在7104 V/cm以下。 22.如请求项18之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质膜之电场强度为E,前述电介质膜之陷阱密度 或可动金属离子密度为N时,满足以下的关系式(1): LogN≦-E10-4/23+18+7/23 …(1)。 23.如请求项19之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质膜之电场强度为E,前述电介质膜之陷阱密度 或可动金属离子密度为N时,满足以下的关系式(1): LogN≦-E10-4/23+18+7/23 …(1)。 24.如请求项18之电浆显示装置,其中在前述位址电 极之放电空间侧的内侧形成有电介质膜, 前述电介质膜之陷阱密度在11017个/cm3以下。 25.如请求项19之电浆显示装置,其中在前述位址电 极之放电空间侧的内侧形成有电介质膜, 前述电介质膜之可动金属离子密度在11017个/cm3以 下。 26.如请求项24之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质层之电场强度在30104 V/cm以下。 27.如请求项25之电浆显示装置,其中施加于前述电 介质层之电场强度在30104 V/cm以下。 28.一种电浆显示装置之制造方法,其系制造电浆显 示装置之方法,该电浆显示装置具有:第一面板,其 系在内侧形成有维持放电电极与电介质层;及第二 面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电空间 之方式贴合;其特征为: 以矽氧化物膜形成前述电介质层时,以导入溅射装 置内之环境气体中之氧气分压在15%以上的方式,使 用溅射法成膜,形成陷阱密度在11018个/cm3以下的 前述电介质层。 29.一种电浆显示装置之制造方法,其系制造电浆显 示装置之方法,该电浆显示装置具有:第一面板,其 系在内侧形成有维持放电电极与电介质层;及第二 面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电空间 之方式贴合;其特征为: 以矽氧化物膜形成前述电介质层时,以导入溅射装 置内之环境气体中之氧气分压在15%以上的方式,使 用溅射法成膜,形成陷阱密度在11017个/cm3以下的 前述电介质层。 30.一种电浆显示装置之制造方法,其系制造电浆显 示装置之方法,该电浆显示装置具有:第一面板,其 系在内侧形成有维持放电电极与电介质层;及第二 面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电空间 之方式贴合;其特征为: 以氧化物膜形成前述电介质层时,以基板温度在350 ℃以上630℃以下的方式,使用化学汽相法成膜,形 成陷阱密度在11018个/cm3以下的前述电介质层。 31.一种电浆显示装置之制造方法,其系制造电浆显 示装置之方法,该电浆显示装置具有:第一面板,其 系在内侧形成有维持放电电极与电介质层;及第二 面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电空间 之方式贴合;其特征为: 以低熔点玻璃膜形成前述电介质层时,以形成温度 在500℃以上630℃以下的方式进行焙烧,形成陷阱密 度在11018个/cm3以下的前述电介质层。 32.一种电浆显示装置之制造方法,其系制造电浆显 示装置之方法,该电浆显示装置具有:第一面板,其 系在内侧形成有维持放电电极与电介质层;及第二 面板,其系以在前述第一面板内侧形成有放电空间 之方式贴合;其特征为: 在前述第二面板之位址电极之放电空间侧的内侧 形成有电介质膜,以低熔点玻璃膜形成前述电介质 层时,以形成温度在500℃以上630℃以下的方式进行 焙烧,形成陷阱密度在11018个/cm3以下的前述电介 质层。 图式简单说明: 图1系本发明一种实施形态之电浆显示装置的重要 部分大致剖面图。 图2系显示本发明实施例及比较例之电浆显示装置 的照度恶化图。 图3系显示本发明之实施例及比较例之电浆显示装 置的电压寿命图。 图4系显示本发明其他实施形态之电浆显示装置的 开始放电电压变动图。 图5系显示本发明其他实施例及比较例之电浆显示 装置之陷阱密度与寿命测试的关系图。 图6系显示本发明比较例之电浆显示装置之电场强 度与寿命测试的关系图。 图7系显示本发明之电浆显示装置之电场强度与陷 阱密度的关系图。 |
