用于装置位准诊断之电子诱导化学蚀刻

摘要

本发明揭示一种成像及识别一积体电路(IC)之一表面上及下面之材料、污染、制造误差及缺陷的方法。该方法可用于直径小于一微米之区域内，且可选择性或非选择性移除IC层，直到获得一所需深度为止。朝一被选定IC位置引导一高能束，例如一电子束。该IC具有形成于该IC之该表面上的一层固体、流体或气体反应性材料，例如一定向氟碳流。该高能束使该区内或其上之该反应性材料解离为化学腐蚀该表面之化学基。可随着在一受控区域点蚀刻中选择性移除各种层而检查该表面，且可接着使用SEM成像来诊断问题。