| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE D'ATTAQUE DE GRAVURE SELECTIVE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A L'AIDE D'UN PLASMA.</P><P>ON EXPOSE UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN SUR DE L'OXYDE DE SILICIUM 30, PLACES SUR UN SUPPORT 27 DANS UNE ENCEINTE 22 SOUS DEPRESSION, A UN PLASMA DE CFCL 36, 34, 40, 24, OBTENU PAR DECHARGE HAUTE FREQUENCE 54, 26, 25 A UNE PRESSION DE 50 A 150 MICROBARS.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE FINS CIRCUITS INTEGRES POUR SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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