| 发明名称 | 芯片熔丝及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种芯片熔丝，其中熔断特性的自由度不被限制，能够防止相对于额定电流倍率高的熔断时间变短，并且能够使针对额定电流倍率低的熔断时间变短的芯片熔丝。在芯片熔丝(10)中，在绝缘基板(11)上形成有由导热性较低的膜材料构成的第一蓄热层(12)，在第一蓄热层(12)上，以不与绝缘基板(11)接触的方式设置有熔丝膜(13)，熔丝膜(13)在配置于两端的表面电极部(13a)之间具有熔丝要素部(13b)，在熔丝要素部(13b)上形成有由导热性较低的膜材料构成的第二蓄热层(15)，第一蓄热层(12)形成得比第二蓄热层(15)厚。第一蓄热层(12)以及第二蓄热层(15)由含有感光基的B阶段状态的片状材料形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101636808A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200880000412.8 | 申请日期 | 2008.02.18 |
| 申请人 | 釜屋电机株式会社 | 发明人 | 山岸克哉;清野英树;佐藤仁 |
| 分类号 | H01H85/045(2006.01)I;H01H69/02(2006.01)I;H01H85/0445(2006.01)I;H01H85/046(2006.01)I;H01H85/10(2006.01)I;H01H85/17(2006.01)I | 主分类号 | H01H85/045(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种芯片熔丝，其中，在绝缘基板上形成有由导热性低的膜材料构成的第一蓄热层，在该第一蓄热层上以不与绝缘基板接触的方式形成有熔丝膜，该熔丝膜在配置于两端的表面电极部之间具有熔丝要素部，在该熔丝要素部上形成有由导热性低的膜材料构成的第二蓄热层，所述第一蓄热层形成得比所述第二蓄热层厚。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||