发明名称 |
FORMATION OF METALLIC SILICIDE LAYER WITH HIGH MELTING POINT |
摘要 |
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申请公布号 |
JPS57170814(A) |
申请公布日期 |
1982.10.21 |
申请号 |
JP19810036383 |
申请日期 |
1981.03.13 |
申请人 |
FUJITSU KK |
发明人 |
INOUE MINORU;SATOU YASUHISA |
分类号 |
H01L21/70;C01B33/06;C23C10/30;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/58;C23C16/42;H01L21/20;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L21/70 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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