发明名称 - FAN-OUT INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING SAME
摘要 방법 실시예는, 다이의 상부면 위에 희생 막 층(sacrificial film layer)을 형성하는 단계를 포함하며, 다이는 상부면(top surface)에 콘택 패드를 갖는다. 다이는 캐리어에 부착되고, 몰딩 컴파운드가 희생 막 층 및 다이 위에 형성된다. 몰딩 컴파운드는 다이의 측벽들을 따라 연장된다. 희생 막 층은 노출된다. 콘택 패드는 희생 막 층의 적어도 일부를 제거함으로써 노출된다. 제1 폴리머 층이 다이 위에 형성되고, 재분배 층(redistribution layer, RDL)은 다이 위에 형성되고, 콘택 패드에 전기적으로 연결된다.
申请公布号 KR101623628(B1) 申请公布日期 2016.05.23
申请号 KR20130152912 申请日期 2013.12.10
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 유 첸화;후 옌챙;시아오 칭웬;리 미릉지;리우 청시;황 시앙 링;린 지웨이;첸 첸션
分类号 H01L21/3205;H01L21/60 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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