| 摘要 |
Dans des dispositifs a semi-conducteurs plats de silicium du type a jonction PN, des plaques de champ (19, 20) recouvrent la pellicule de bioxyde de silicium-nitrure de silicium deposee sur la surface du dispositif pour inhiber la formation d'une inversion des canaux conducteurs a la surface du dispositif. Les plaques de champ sont connectees a une zone plus fortement dopee (12) sur un cote d'une jonction PN et s'etendent a une certaine distance au-dessus de la zone legerement dopee (13) de l'autre cote de la jonction PN. En cas de polarisation inversee elevee, la presence de centres d'interception produit un niveau de charge a la surface du dispositif, ce qui se traduit par une canalisation du courant qui produit un courant inverse de fuite excessif. Cet effet peut etre empeche ou reduit en evitant de deposer la couche de nitrure de silicium sur une partie (22, 23) recouvrant la zone dopee plus legerement et espacee de la limite de la jonction PN (38, 39). L'omission de cette partie permet d'eliminer une partie de l'interface oxyde-nitrure qui semble etre l'endroit ou se situent les centres d'interception. |
