Mfr. of polycrystalline silicon substance - by electron bombardment under vacuum

摘要

FABRICATION D'UN MATERIAU POLYCRISTALLIN A BASE DE SILICIUM.

LE PROCEDE EST CARACTERISE EN CE QU'ON REALISE, PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN FAISCEAU D'ELECTRONS, AU MOINS DE FACON INTERMITTENTE, UN POST-CHAUFFAGE DU MATERIEL DE FACON CONTIGUE A LA FUSION LOCALE ET EN ARRIERE DE CETTE FUSION PAR RAPPORT AU SENS DE PROGRESSION DE CETTE DERNIERE POUR INTRODUIRE UNE LINEARITE DE PROFIL DE DECROISSANCE DE TEMPERATURE DANS LA ZONE DE RECRISTALLISATION.

APPLICATION AUX PHOTOPILES.