| 摘要 |
Un reseau de distribution de puissance pour un circuit integre est fabrique avec le circuit sur un substrat de silicium (10). Le substrat de silicium (10) est fabrique pour former des regions de diffusion (50) faisant partie des dispositifs actifs du circuit integre. Une couche de separation dielectrique (51) est fabriquee sur la surface du substrat (10). Au-dessus de la region (50) une ligne de distribution de puissance (52) est prevue consistant en une metallisation d'aluminium ou un materiau en alliage d'aluminium. Une couche de passivation (54) est formee sur la couche dielectrique (51) et le conducteur (52) mais est ouverte au-dessus de la region centrale du conducteur (52). Une couche barriere d'adhesion et de diffusion (58) est fabriquee sur le conducteur (52) et sur la couche de passivation (54). Au-dessus de la couche (58) on depose une couche epaisse de metallisation (60) sous la forme d'une bande conductrice ayant une configuration semblable a celle de la couche conductrice sous-jacente (52). Les couches conductrices (58, 60) sont attaquees chimiquement pour avoir essentiellement la meme largeur que la ligne conductrice (52). Les couches conductrices (58 et60) peuvent eventuellement avoir une largeur plus grande que la couche sous-jacente comme cela est illustre par les couches conductrices (76 78). |
