Integrated digital semiconductor circuit.

摘要

Für eine Reihe von Aufgaben beim Betrieb von digitalen MOS-Halbleiterschaltungen werden Impulse benötigt, deren Pegel während des Verlaufes des Impulses eine zusätzliche Erhöhung erfährt. Solche Impulse werden z.B. bei der Steuerung der Wortleitungen von dynamischen MOS-Halbleiterspeichern mit Ein-Transistor-Speicherzellen benötigt, z.B. um die Umladung der Bitleitungen zu beschleunigen bzw. um über die Wortleitungen einen höheren Pegel in die jeweils adressierte Speicherzelle einschreiben zu können. Die Erfindung liefert einen hierzu in besonderem Maße geeigneten und ohne großen Aufwand in die integrierte Schaltung aufnehmbaren Schaltungsteil. Bei diesem ist ein erster MOS-Transistor T1 an seinem Gate durch das erste Versorgungspotential gesteuert, während sein Drain zusammen mit dem von einem Impulsgeber S1 gelieferten Impuls Oo an den Eingang des mit den überhöhten Impulsen zu beaufschlagenden Schaltungsteil S2 gelegt ist. Ein zweiter MOS-Transistor T2 liegt mit seinem Drain am Drain des ersten Transistors T1 und mit seinem Gate am Sourceanschluß des ersten Transistors T1 sowie am Sourceanschluß eines dritten MOS-Transistors T3, dessen Drain an dem zur Steuerung des ersten MOS-Transistors T1 vorgesehenen und vom Bezugspotential verschiedenen Versorgungspotential Vcc liegt. Die Sourceanschlüsse des ersten und des zweiten MOS-Transistors T1 bzw. T2 liegen über je einen Kondensator C1 bzw. C2 an je einer Impulsquelle, die durch den von der erstgenannten Impulsquelle S1 gelieferten Impuls gesteuert wird und die die angestrebte Überhöhung der Amplitude des zu erzeugenden Steuerimpulses bedingen.