| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR. CONSTA DE UNA PRIMERA CAPA (1) SEMICONDUCTORA PASIVA DE UN PRIMER TIPO DE CONDUCTIVIDAD; DE UNA CAPA (3) SEMICONDUCTORA ACTIVA SITUADA SOBRE LA PRIMERA CAPA (1) SEMICONDUCTORA PASIVA; DE UNA SEGUNDA CAPA (2) SEMICONDUCTORA PASIVA DE UN SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD OPUESTO AL PRIMERO Y SITUADA SOBRE LA CAPA (2) SEMICONDUCTORA ACTIVA; DE UNA CAPA (4) SEMICONDUCTORA DE CONTACTO, EN FORMA DE BANDA, DEL SEGUNDO TIPO DE CONDUCTIVIDAD, SITUADA SOBRE LA SEGUNDA CAPA (2) SEMICONDUCTORA PAASIVA, Y DE UNOS MEDIOS DE CONTACTO (8, 6, 5, 9) PARA APLICAR UNA TENSION EN SENTIDO DIRECTO ENTRE LA CAPA (4) SEMICONDUCTORA DE CONTACTO Y LA PRIMERA CAPA (1) SEMICONDUCTORA PASIVA, A FIN DE GENERAR RADIACION (10) ELECTROMAGNETICA COHERENTE EN UNA PARTE (11) DE LA CAPA (3) SEMICONDUCTORA ACTIVA.</p> |
