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<P>L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR MOS PRESENTANT UNE FAIBLE CAPACITE PARASITE ENTRE GRILLE ET SOURCE OU ENTRE GRILLE ET DRAIN. LE TRANSISTOR COMPREND UNE REGION DE SOURCE 14, UNE REGION DE DRAIN16, ET ENTRE ELLES UNE REGION DE CANAL PROPREMENT DITE 18 DU TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSE A LA SOURCE ET AU DRAIN ET UNE REGION MIXTE 19 DOPEE COMME LA REGION DE CANAL OU COMME LA SOURCE ET LE DRAIN. UNE PREMIERE GRILLE 22 S'ETEND AU-DESSUS DU CANAL PROPREMENT DIT18 ET UNE DEUXIEME GRILLE 30, ISOLEE DE LA PREMIERE, CONTROLE LA REGION MIXTE 19. CETTE DEUXIEME GRILLE EST PORTEE A UN POTENTIEL CONSTANT, ENGENDRANT UNE SORTE DE CANAL ARTIFICIEL S'ETENDANT JUSQU'A L'APLOMB DE LA PREMIERE GRILLE 22 MAIS PAS PLUS LOIN, ELIMINANT AINSI LE DEBORDEMENT CLASSIQUEDE LA GRILLE DE COMMANDE SUR LA SOURCE OU LE DRAIN.</P>
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