| 发明名称 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF UTILISE POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FORMATION D'UN MOTIF.</P><P>SELON L'INVENTION, ON FORME UN PREMIER MOTIF SOUHAITE CONSISTANT EN UNE COUCHE 2 D'UN MATERIAU DE "RESIST" D'UN POLYMERE ORGANIQUE SUR LA SURFACE D'UNE COUCHE A TRAVAILLER D'UN SUBSTRAT 1, ON APPLIQUE UN TRAITEMENT THERMIQUE A LA COUCHE DU MATERIAU DE "RESIST", ON FORME UNE COUCHE 3 D'UN MATERIAU DE "RESIST" INORGANIQUE QUI EST UN FEUILLETAGE CONSISTANT EN UNE COUCHE D'UN MATERIAU DE VERRE A BASE DE SELENIUM 3A ET UNE COUCHE D'ARGENT 3B SUR LA COUCHE 2 AINSI TRAITEE AFIN DE COUVRIR TOUTE SA SURFACE, ON FORME UN SECOND MOTIF SOUHAITE AVEC LA COUCHE 3, ON ATTAQUE POUR RETIRER LA COUCHE 2 DANS UNE REGION NON COUVERTE DE LA COUCHE 3, ON APPLIQUE UN TRAITEMENT D'ATTAQUE A LA COUCHE A TRAVAILLER DANS UNE REGION NON COUVERTE PAR LA COUCHE 2 ET ON RETIRE LES COUCHES 2 ET 3.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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| 申请公布号 |
FR2499726(A1) |
申请公布日期 |
1982.08.13 |
| 申请号 |
FR19820001933 |
申请日期 |
1982.02.05 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGRAPH TELEPHONE PUBLI |
发明人 |
AKIRA YOSHIKAWA, AKITSU TAKEDA, OSAMU OCHI, TOMOKO HISAKI ET YOSHIHIKO MIZUSHIMA;TAKEDA AKITSU;OCHI OSAMU;HISAKI TOMOKO;MIZUSHIMA YOSHIHIKO |
| 分类号 |
H01L21/306;G03F7/00;H01L21/027;H01L21/266;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/314;(IPC1-7):G03F1/00;H01L21/31 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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