PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANSDUCTEURS DE PRESSION A HAUTE TEMPERATURE, DISPOSITIF A UTILISER COMME TRANSDUCTEURS DE PRESSION ET SEMI-CONDUCTEURS ET STRUCTURE A UTILISER COMME SEMI-CONDUCTEUR

摘要

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANSDUCTEURS DE PRESSION A DIAPHRAGME EN SILICIUM.CE PROCEDE CONSISTE A JOINDRE L'UNE A L'AUTRE, PAR DIFFUSION EN DEUX ETAPES, DEUX TRANCHES 10, 12 DE SILICIUM CONVENABLEMENT ORIENTEES. DES DIAPHRAGMES 14 DE PRESSION, A CONCENTRATION DE CONTRAINTES, SONT FORMES DANS LA TRANCHE 12 DONT UNE SURFACE, REVETUE D'UNE COUCHE DE DIOXYDE DE SILICIUM, EST LIEE A UNE SURFACE REVETUE D'UNE COUCHE RICHE EN BORE DE LA TRANCHE 10. LA LIAISON DES DEUX COUCHES FORME UNE COUCHE 22 D'OXUDE DE BORE ET DE DIOXYDE DE SILICIUM.DOMAINE D'APPLICATION: CAPTEURS DE PRESSION, SEMI-CONDUCTEURS, ETC.