发明名称 PREPARATION OF SEMI-INSULATING GAAS SINGLE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPS57123898(A) 申请公布日期 1982.08.02
申请号 JP19810005877 申请日期 1981.01.20
申请人 TOKYO SHIBAURA DENKI KK 发明人 KOKUBU YOSHIHIRO
分类号 C30B27/02;C30B15/00;C30B29/42;H01L21/18;H01L21/208 主分类号 C30B27/02
代理机构 代理人
主权项
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