发明名称 |
PERFECCIONAMIENTOS EN CIRCUITOS ELECTRONICOS DE PROTECCION DE SOBREINTENSIDAD DE CORRIENTE PARA TRANSISTORES DE POTEN- CIA |
摘要 |
<p>CIRCUITOS ELECTRONICOS DE PROTECCION DE SOBREINTENSIDAD DE CORRIENTE PARA TRANSISTORES DE POTENCIA. COMPRENDE UN TRANSISTOR DE REFERENCIA QUE TIENE ELECTRODOS BASE Y EMISOR CON UNA UNION EMISOR-BASE ENTRE LOS MISMOS; MEDIOS QUE CONECTAN EL TRANSISTOR DE REFERENCIA PARA CONDUCIR AL EMISOR; MEDIOS COMPARADORES DIFERENCIALES CONECTADOS PARA COMPARAR EL POTENCIAL DEL TRANSISTOR DE REFERENCIA CON EL FIN DE INDICAR SI EXISTE O NO SOBREINTENSIDAD RESPECTO AL TRANSISTOR PROTEGIDO; MEDIOS PARA LIMITAR EL AUMENTO ADICIONAL DE LA CORRIENTE DE EXCITACION.</p> |
申请公布号 |
ES8204565(A1) |
申请公布日期 |
1982.08.01 |
申请号 |
ES19560004880 |
申请日期 |
1980.01.31 |
申请人 |
RCA CORPORATION |
发明人 |
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分类号 |
H02H7/12;H03F1/42;H03F1/52;(IPC1-7):02H7/20 |
主分类号 |
H02H7/12 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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