| 摘要 |
Des elements resistants (24, 70) de dispositifs semi-conducteurs et de circuits integres ont des dimensions reduites qui permettent une integration a plus grande echelle. Des dopants de niveau profond comprenant des impuretes ou des defauts de reseau cristallin, ou les deux, sont formes dans une region dopee e faible resistance (16, 66) augmentant ainsi la resistance d'une portion de la region dopee. Des contacts et des interconnexions resistants ont besoin de moins de surface semi-conductrice. |
