| 发明名称 |
METHOD OF FORMING STRUCTURE OF SILICIDE LAYEROR SILICIDE POLYSILICON DOUBLE LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS57121232(A) |
申请公布日期 |
1982.07.28 |
| 申请号 |
JP19810195498 |
申请日期 |
1981.12.04 |
| 申请人 |
SIEMENS SCHUCKERTWERKE AG |
发明人 |
UIRII BAINFUOOGURU |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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