| 摘要 |
Die Erfindung betrifft einen dynamischen SchreibLesespeicher, bei dem jeder Matrixspalte je ein Komparator K in Gestalt einer dynamischen taktgesteuerten Flip-Flopzelle zugeordnet ist, der in üblicher Weise der Kontrolle der in den einzelnen Speicherzellen Si gespeicherten Informationen dient. Dabei ist wenigstens einer der informationsführenden Anschlüsse a und b über eine Bitleitung BL mit Speicherzellen in Gestalt von Ein-Transistor-Specherzellen S1 und wenigstens der andere Anschluß mit wenigstens einer analog zu den Speicherzellen Si ausgebildeten Vergleichszelle V verbunden. Im Interesse einer Erhöhung der Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers werden nun die einzelnen Bitleitungen BL mit je einer durch je einen MOS-Schalttransistor T überbrückbaren Unterbrechungsstelle versehen. Wird eine Speicherzeile diesseits der Unterbrechungsstelle (vom Ort des Komparators K aus gesehen) adressiert, so bleibt der Schalttransistor T nichtleitend, so daß die parasitäre Kapazität des jenseits der Unterbrechungsstelle befindlichen Teils der Bitleitung keinen Einfluß auf das Verhalten des Komparators K hat. Wird hingegen eine zum Bitleitungsabschnitt jenseits der Unterbrechungsstelle gehörende Speicherzelle bzw. Vergleichszelle adressiert, so wird der Schalttransistor an der Unterbrechungsstelle aktiviert, so daß die Unterbrechungsstelle aufgehoben ist. Zweckmäßig erhalten die jenseits der Unterbrechungsstelle befindlichen Speicherzellen Sm+1,...Sn und die zugehörige Vergleichszelle V* eine hohere Speicherkapazität als die übrigen Zellen.
|
