Low capacitance self-aligned semiconductor electrode structure and method of fabrication,申请号GB19810038538-传众专利搜索

发明名称	Low capacitance self-aligned semiconductor electrode structure and method of fabrication
摘要
申请公布号	GB2090467(A)	申请公布日期	1982.07.07
申请号	GB19810038538	申请日期	1981.12.22
申请人	GTE LABORATORIES INC	发明人
分类号	H01L29/80;H01L21/3213;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/45;H01L29/772;(IPC1-7):H01L21/44	主分类号	H01L29/80
代理机构		代理人
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