发明名称 TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS
摘要 <P>LE TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTE UN ELEMENT SENSIBLE 3 SOUS FORME D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE SAPHIR 4 DOTE EN SURFACE DE RESISTANCES EXTENSOMETRIQUES EPITAXIEES DE SILICIUM DE TYPE P 5. LA CONCENTRATION DE TROUS DANS LE SILICIUM EST DE 3, 5.10 A 3.10CM. LES RESISTANCES EXTENSOMETRIQUES 5 SONT RELIEES ENTRE ELLES DE FACON A FORMER UN PONT OU UN DERIVATEUR EXTENSOMETRIQUE. CE TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS EST DESTINE A MESURER LES EFFORTS, LES PRESSIONS, LES DEPLACEMENTS, LES ACCELERATIONS ET D'AUTRES PARAMETRES MECANIQUES.</P>
申请公布号 FR2497346(A1) 申请公布日期 1982.07.02
申请号 FR19800027919 申请日期 1980.12.31
申请人 GOSUDARSTVENNY INSTITUT TEPLOENE 发明人 A. V. BELOGLAZOV, V. E. BEIDEN, G. G. IORDAN, V. M. KARNEEV, V. S. PAPKOV, V. M. STUCHEBNIKOV, V. V. KHASIKOV ET M. V. SUROVIKOV;BEIDEN V E;IORDAN G G;KARNEEV V M;PAPKOV V S;STUCHEBNIKOV V M;KHASIKOV V V;SUROVIKOV M V
分类号 G01L1/22;G01L9/00;(IPC1-7):01L1/18;01B7/18;01L9/06;01P15/08 主分类号 G01L1/22
代理机构 代理人
主权项
地址