发明名称 |
TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS |
摘要 |
<P>LE TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTE UN ELEMENT SENSIBLE 3 SOUS FORME D'UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE SAPHIR 4 DOTE EN SURFACE DE RESISTANCES EXTENSOMETRIQUES EPITAXIEES DE SILICIUM DE TYPE P 5. LA CONCENTRATION DE TROUS DANS LE SILICIUM EST DE 3, 5.10 A 3.10CM. LES RESISTANCES EXTENSOMETRIQUES 5 SONT RELIEES ENTRE ELLES DE FACON A FORMER UN PONT OU UN DERIVATEUR EXTENSOMETRIQUE. CE TRANSDUCTEUR EXTENSOMETRIQUE A SEMI-CONDUCTEURS EST DESTINE A MESURER LES EFFORTS, LES PRESSIONS, LES DEPLACEMENTS, LES ACCELERATIONS ET D'AUTRES PARAMETRES MECANIQUES.</P>
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申请公布号 |
FR2497346(A1) |
申请公布日期 |
1982.07.02 |
申请号 |
FR19800027919 |
申请日期 |
1980.12.31 |
申请人 |
GOSUDARSTVENNY INSTITUT TEPLOENE |
发明人 |
A. V. BELOGLAZOV, V. E. BEIDEN, G. G. IORDAN, V. M. KARNEEV, V. S. PAPKOV, V. M. STUCHEBNIKOV, V. V. KHASIKOV ET M. V. SUROVIKOV;BEIDEN V E;IORDAN G G;KARNEEV V M;PAPKOV V S;STUCHEBNIKOV V M;KHASIKOV V V;SUROVIKOV M V |
分类号 |
G01L1/22;G01L9/00;(IPC1-7):01L1/18;01B7/18;01L9/06;01P15/08 |
主分类号 |
G01L1/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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