Method of manufacturing a monolithic semiconductor integrated circuit.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung, bei dem ein unter Verwendung einer ersten Dotierungsmaske vorzunehmender erster Dotierungsprozeß und dann ein unter Verwendung einer zweiten Dotierungsmaske vorzunehmender zweiter Dotierungsprozeß an der gleichen Seite eines scheibenförmigen monokristallinen Halbleiterplättchens durchgeführt wird, wobei aus unterschiedlichem Material bestehende Dotierungsmasken verwendet werden. Das Verfahren soll insbesondere bei der Herstellung von Transistoren in der integrierten Schaltung angewendet werden, wobei eine Verkleinerung des Basis-Bahnwiderstandes und eine Verkürzung der Laufzeiten im Transistor sowie eine Verminderung der parasitären Kapazitäten der pn-Übergänge angestrebt ist. Erfindungsgemäß wird zur Lösung der genannten Probleme vorgeschlagen, daß die beiden Dotierungsprozesse mit wenigstens zum Teil zueinander komplementär ausgebildeten Dotierungsmasken durchgeführt werden.