Semiconductor device for the conversion of light into electrical energy.

摘要

Halbleiterbauelement für die Umsetzung von Licht in elektrische Energie mit mindestens einer Schicht amorphen Siliziums, einer Deckschicht aus polykristallinem Silizium und einer Antireflexschicht, wobei die Deckschicht (4) aus polykristallinem Silizium die optische Dicke <IMAGE> aufweist und die Deckschicht (4) zwischen der Antireflexschicht (2) aus halbleitendem transparentem Oxyd mit einem Brechungsindex <2,8 und der Schicht (3) aus amorphem Silizium angeordnet ist.