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<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, A GRILLE 8 AUTO-ALIGNEE SUBMICRONIQUE, SANS MASQUE SUBMICRONIQUE.</P><P>L'INVENTION EST REMARQUABLE EN CE QU'IL CONSISTE A SOUS-GRAVER L'ELECTRODE DE DRAIN 4, PRECEDEMMENT RECOUVERTE DE LAQUE 5, SUR UNE DISTANCE TYPIQUEMENT INFERIEURE AU MICRON, A DEPOSER L'ELECTRODE DE SOURCE 6, A GRAVER LE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR 2 ET A DEPOSER DANS LA CAVITE AINSI FORMEE L'ELECTRODE DE GRILLE 8.</P><P>L'INVENTION CONCERNE EGALEMENT LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AINSI OBTENUS.</P><P>APPLICATION : TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP.</P>
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