发明名称 DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES DE HAUTE DENSITE
摘要 <P>L'INVENTION SE RAPPORTE A UNE CONCEPTION DE LA DIFFUSION ET DE LA METALLISATION POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIFS A CIRCUITS INTEGRES.</P><P>SELON L'INVENTION, LES COMPOSANTS SONT ORGANISES EN CELLULES 17 TOUTES IDENTIQUES, NON FONCTIONNELLES, ASSEMBLEES SELON UNE MATRICE 14. DES COMPOSANTS DE CELLULES VOISINES SONT RELIES ENTRE EUX PAR UN SOUS-RESEAU METALLIQUE 22 CONSTITUTIF DE BLOCS 23:23, ..., 23 REPRESENTATIF DE FONCTIONS LOGIQUES PREDETERMINEES. LES BLOCS 23 PRESENTENT DES BORNES D'ENTREE-SORTIE 26 A DES ENDROITS PREDETERMINES, PAR LESQUELLES IL SONT INTERCONNECTES PAR UN SOUS-RESEAU METALLIQUE 24:24, ...LES CELLULES ET BLOCS PRESENTENT CHACUN UNE SYMETRIE PAR RAPPORT AUX DEUX AXES DE LA MATRICE, SI BIEN QUE LA METALLISATION EST MINIMALE ET LA DIFFUSION PEUT ETRE PLUS CONCENTREE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE PLUS PARTICULIEREMENT AUX DIPOSITIFS LSI.</P>
申请公布号 FR2495834(A1) 申请公布日期 1982.06.11
申请号 FR19800025859 申请日期 1980.12.05
申请人 CII HONEYWELL BULL 发明人 JEAN-PIERRE HENRI MICHEL LEROY
分类号 H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/82;H01L23/52;H01L23/528;H01L27/04;H01L27/118;(IPC1-7):01L21/90;03K19/08 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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