| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschäftigt sich mit einem monolithisch integrierbaren R-2R-Netzwerk mit einer Reihe von vor einem Abschlußwiderstand liegenden Serienwiderständen, wobei an die Knoten zwischen den Serienwiderständen, an den Knoten zwischen dem Abschlußwiderstand und dem letzten Widerstand der Reihe und dem Knoten vor dem ersten Serienwiderstand je eine 2R-Widerstandseinheit mittels zweier elektronischer Schalter entweder an Masse oder einen anderen Bezugspunkt schaltbar ist. Es wird das Problem der Verringerung bzw. Kompensation der Auswirkungen der während der Herstellung durch die Prozeßparameterschwankungen bedingten Schwankungen der Schalterwiderstände auf die Genauigkeit eines Wandlers behandelt. Dieses Problem wird weitgehend dadurch gelöst, daß zwischen jedem der Knoten (10, 11...1n) eine hinsichtlich der beiden elektronischen Schalter gleichartige Schalterstruktur (Fo...Fn) eingefügt ist, welche sich ständig im elektrisch leitenden Zustand befindet. Vorzugsweise werden Isolierschichtfeldeffekttransistoren (To...T7') und Isolierschicht-Feldeffekttransistorstrukturen (F1...F7) verwendet, deren gleichartige Elektroden, beispielsweise Source-Elektroden, unmittelbar mit jedem der Knoten verbunden sind.</p> |
