HALBLEITERELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRSCHICHTVERDRAHTUNG BEI EINEM SOLCHEN

摘要

A semiconductor device has a silicon substrate (1), a protective film (2), for example a silicon oxide film, on the substrate, and a zinc oxide glass film (8) such as a ZnO-SiO2-B2O3 glass film on the protective film.