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<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>UN MASQUE D'EXPOSITION FORME SUR UNE COUCHE DE SIO(2) COMPORTE UN MOTIF DE MASQUAGE 3 QUI PRESENTE UN POUVOIR D'ABSORPTION POUR LES RAYONS LUMINEUX, ET UN MOTIF DE MASQUAGE 4, 5 QUI PRESENTE UN POUVOIR D'ABSORPTION POUR LES RAYONS X. ON PEUT DONC UTILISER UN MEME MASQUE POUR DEUX OPERATIONS D'EXPOSITION CONDUISANT A LA FORMATION DE MOTIFS DIFFERENTS DANS UNE TRANCHE TRAITEE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES.</P> |
