发明名称 Verfahren zur Herstellung von insbesondere stabfoermigen Halbleiterkristallen mit ueber den ganzen Kristall homogener oder annaehernd homogener Dotierung
摘要
申请公布号 DE1286512(B) 申请公布日期 1969.01.09
申请号 DE1963S087768 申请日期 1963.10.08
申请人 SIEMENS AG 发明人 RENATO BELFI,;ECKARDT;DIETRICH DIPL.-CHEM. DR.
分类号 C01B33/02;C30B25/02 主分类号 C01B33/02
代理机构 代理人
主权项
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