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L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES.UN CIRCUIT INTEGRE COMPRENANT UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP MOS, FORME SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN EST CARACTERISE EN CE QU'UNE PARTIE DE L'UNE AU MOINS DES COUCHES DIFFUSEES 35, 39 DE SOURCE ET DE DRAIN EST FORMEE PAR DOUBLE DIFFUSION EN SUPERPOSANT DIFFERENTES ESPECES D'ATOMES AYANT LE MEME TYPE DE CONDUCTIVITE MAIS DES COEFFICIENTS DE DIFFUSION DIFFERENTS.APPLICATION A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES COMPLEXES.
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