| 摘要 |
<P>Procédé de réalisation d'une matrice de cellule de mémoire de grande capacité, suivant lequel on réalise dans chaque région de cellule, une grille de transfert 29 qui est séparée d'une voisine de façon à défiler une région de stockage à la surface du corps semi-conducteur, entre la grille de transfert et la région isolante, ainsi qu'une région de ligne de bits 26 de l'autre côté de la grille de transfert; on introduit dans la région de stockage, une couche d'ions peu profonde de premier type de conductivité qui est formée par auto-alignement avec la grille de transfert 29; on introduit également dans la région de stockage, une couche d ions profonde de type de conductivité opposée qui est formée par auto-alignement avec la grille de transfert 29; on réalise sur une partie de la région de stockage, une grille de mémoire 40 qui est séparée latéralement de la grille de transfert par une fente et finalement on introduit dans la partie de la région de stockage qui est définie par la fente, des ions de premier type de conductivité.</P>
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