| 摘要 |
<p>L'invention vise à faciliter la prise de contact, en technologie planar, de la base du phototransistor, située dans la couche intermédiaire d'un empilement n p n, ainsi que la localisation précise de la jonction pn. A cet effet, la couche semiconductrice supérieure (3) reçoit d'abord une première diffusion d'impureté dopante (p) dans une première région (22) pénétrant légèrement (220) dans la couche inférieure (2) et formant la région de base; puis on implante une impureté (n) du type opposé dans une deuxième région (23) située à l'intérieur de la première et formant la région de l'émetteur, le substrat constituant le collecteur. Les connexions de base (28) et d'émetteur (27) sont prises sur la face libre, le collecteur étant raccordé du côté substrat. Application aux télécommunications par fibre optique.</p> |
