发明名称 DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS
摘要 L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A CIRCUITS INTEGRES A SEMICONDUCTEURS.CE DISPOSITIF COMPORTE UN PREMIER ET UN SECOND CABLAGES GL, PL AUXQUELS UNE TENSION D'ALIMENTATION EN ENERGIE EST APPLIQUEE, UN CIRCUIT ELECTRONIQUE4 BRANCHE ENTRE LES CABLAGES PL, GL ET A LAQUELLE LA TENSION D'ALIMENTATION EN ENERGIE EST APPLIQUEE PAR L'INTERMEDIAIRE DE CES CABLAGES, UN TROISIEME CABLAGE RL AUQUEL EST APPLIQUEE UNE TENSION DE REFERENCE V, UN CONDENSATEUR C REALISANT UN COUPLAGE EN COURANT ALTERNATIF DES CABLAGES RL, PL ET UN CONDENSATEUR C TRANSMETTANT DES VARIATIONS POTENTIELLES PRODUITES DANS LES CABLAGES GL, RL.APPLICATION NOTAMMENT AUX CIRCUITS INTEGRES A FAIBLE VARIATION DES POTENTIELS DE SERVICE ET A FAIBLE PARASITAGE RECIPROQUE DES CABLAGES D'ALIMENTATION EN ENERGIE ET DE TRANSMISSION DE SIGNAUX D'INFORMATIONS.
申请公布号 FR2494021(A1) 申请公布日期 1982.05.14
申请号 FR19810020400 申请日期 1981.10.30
申请人 HITACHI LTD 发明人 YOSHIAKI ONISHI
分类号 G11C11/419;G05F3/24;G11C5/06;G11C5/14;G11C11/401;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H03K17/16;H03K19/00;H03K19/0944;(IPC1-7):11C5/00;01L27/06;11C11/34 主分类号 G11C11/419
代理机构 代理人
主权项
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