| 摘要 |
<p><P>L'INVENTION VISE A FACILITER LA PRISE DE CONTACT, EN TECHNOLOGIE PLANAR, DE LA BASE DU PHOTOTRANSISTOR, SITUEE DANS LA COUCHE INTERMEDIAIRE D'UN EMPILEMENT NPN, AINSI QUE LA LOCALISATION PRECISE DE LA JONCTION PN. </P><P>A CET EFFET, LA COUCHE SEMICONDUCTRICE SUPERIEURE 3 RECOIT D'ABORD UNE PREMIERE DIFFUSION D'IMPURETE DOPANTE P DANS UNE PREMIERE REGION 22 PENETRANT LEGEREMENT 220 DANS LA COUCHE INFERIEURE 2 ET FORMANT LA REGION DE BASE; PUIS ON IMPLANTE UNE IMPURETE N DU TYPE OPPOSE DANS UNE DEUXIEME REGION 23 SITUEE A L'INTERIEUR DE LA PREMIERE ET FORMANT LA REGION DE L'EMETTEUR, LE SUBSTRAT CONSTITUANT LE COLLECTEUR. LES CONNEXIONS DE BASE 26 ET D'EMETTEUR 27 SONT PRISES SUR LA FACE LIBRE, LE COLLECTEUR ETANT RACCORDE DU COTE SUBSTRAT.</P><P>APPLICATION AUX TELECOMMUNICATIONS PAR FIBRE OPTIQUE.</P></p> |
