首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 PROCEDIMENTO PER FORMARE UNO STRATO DI TANTALIO PER CONDENSATORI A STRATO SOTTILE O PER RESISTORI A STRATO SOTTILE
摘要
申请公布号 IT1058515(B) 申请公布日期 1982.05.10
申请号 IT19760021523 申请日期 1976.03.24
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 H01C13/00;H01C17/06;H01G4/005;H01G4/06;H01G4/10;H01G9/04;H01L21/70;H01L49/02;(IPC1-7):H01G/ 主分类号 H01C13/00
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com