| 发明名称 |
METHOD FOR ETCHING SINGLE CRYSTAL SILICON SUBSTRATES AND DEPOSITING SILICON THEREON |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3501336(A) |
申请公布日期 |
1970.03.17 |
| 申请号 |
USD3501336 |
申请日期 |
1967.12.11 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INC. |
发明人 |
LAWRENCE D. DYER;RONALD C. BRACKEN;GUY W. TAYLOR |
| 分类号 |
C30B33/00;C30B33/12;(IPC1-7):C23C11/06 |
主分类号 |
C30B33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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