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<P>TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, DONT LA COURSE 9 ET LE DRAIN 10 SONT REALISES A L'AIDE EN PARTIE DE LA REGION SEMICONDUCTRICE 6 DONT LE CORPS SEMICONDUCTEUR 1 ET EN PARTIE DE LA COUCHE EPITAXIALE DEPOSEE 7A, 7B, ALORS QUE LA REGION DE CANAL 11 SE SITUE AU-DESSOUS D'UN SILLON 8 CREUSE DANS LE SUBSTRAT 2. GRACE A CETTE STRUCTURE, LA LONGUEUR DE CANAL N'EST PAS TRIBUTAIRE DES VARIATIONS SE PRODUISANT DANS L'EPAISSEUR DE LA COUCHE EPITAXIALE ET LES CAPACITES PARASITES DE LA SOURCE 9 ET DU DRAIN 10 VERS LE SUBSTRAT 2 SONT PETITES. DE PLUS, UNE CONFIGURATION DE CONDUCTEURS 18 SEPAREE PAR UNE COUCHE ISOLANTE 17 DE LA COUCHE EPITAXIALE, PEUT S'ETENDRE JUSQU'AU-DESSUS DES ZONES DE CONNEXION 14, 15 DE LA SOURCE 9 ET DU DRAIN 10, CE QUI PERMET D'OBTENIR UNE COMPACITE ELEVEE. LA COUCHE EPITAXIALE 7A, 7B CONTIENT EN OUTRE DES PISTES DE CABLAGE ADDITIONNELLES, QUI PERMETTENT D'OBTENIR UNE GRANDE LIBERTE DE CONCEPTION.</P><P>APPLICATION: A LA FABRICATION DE TRANSISTORS A EFFET CHAMP.</P>
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