DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE MEMORISATION, TEL QUE PAR EXEMPLE UNE MEMOIRE DYNAMIQUE A ACCES DIRECT DU TYPE MOS

摘要

L'INVENTION A POUR OBJET UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE MEMORISATION 100 COMPRENANT UN SUBSTRAT 101, UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 102 INCLUANT DEUX REGIONS DIFFUSEES 103A, 103B, ET UNE GRILLE 105 AVEC SON FILM D'ISOLATION 104 POUR QUE L'ENSEMBLE CONSTITUE UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. UNE CHARGE ELECTRIQUE EST FOURNIE A L'UNE DES REGIONS DIFFUSEES 103B A PARTIR DE L'AUTRE REGION 103A POUR FAIRE VARIER AINSI LA LARGEUR D'UNE COUCHE DE CHARGE D'ESPACE 108 AVOISINANT LA REGION 103B DE FACON A STOCKER SELECTIVEMENT DANS LE DISPOSITIF DES INFORMATIONS "1" ET "0". L'INFORMATION STOCKEE EST LUE PAR DETECTION DE LA PRESENCE OU DE L'ABSENCE DU CANAL ENFOUI 107.

L'INVENTION PERMET L'OBTENTION D'UNE PLUS GRANDE VITESSE DE FONCTIONNEMENT ET D'UNE PLUS FORTE DENSITE D'INTEGRATION.