发明名称 |
SOURCE D'ELECTRONS A GRANDE DENSITE A EXCITATION PAR LASER |
摘要 |
<P>L'INVENTION PROPOSE UN APPAREIL DESTINE A ENGENDRER THERMO-IONIQUEMENT DES IMPULSIONS D'ELECTRONS A FORTE DENSITE. CET APPAREIL COMPORTE UNE CIBLE METALLIQUE 11 MAINTENUE SOUS UNE ATMOSPHERE DE VAPEUR DE CESIUM A BASSE PRESSION. UN LASER 17 PORTE RAPIDEMENT LA SURFACE DE LA CIBLE CESIEE 11 A UNE TEMPERATURE ELEVEE EN UN TEMPS QUI EST COURT COMPARATIVEMENT AU TEMPS DE SEJOUR A LA SURFACE DE LA CIBLE DES ATOMES DE CESIUM QUI Y SONT ABSORBES. EN COMBINAISON AVEC LA PRESENCE DES ATOMES DE CESIUM ABSORBES, CET ECHAUFFEMENT SUPERFICIEL RAPIDE DONNE LIEU A L'EMISSION DE GRANDES QUANTITES D'ELECTRONS EN CREANT UNE IMPULSION A FORTE DENSITE DE COURANT.</P>
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申请公布号 |
FR2491257(A1) |
申请公布日期 |
1982.04.02 |
申请号 |
FR19810007145 |
申请日期 |
1981.04.09 |
申请人 |
THERMO ELECTRON CORP |
发明人 |
LEE CHUNGHSIN ET PETER E. OETTINGER;OETTINGER PETER E |
分类号 |
H01J37/075;H01J3/02;H01J17/52;H01J35/00;H01J35/06;H01J37/06;H03K17/52;H03K17/78;(IPC1-7):H01J37/07 |
主分类号 |
H01J37/075 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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