发明名称 SOURCE D'ELECTRONS A GRANDE DENSITE A EXCITATION PAR LASER
摘要 <P>L'INVENTION PROPOSE UN APPAREIL DESTINE A ENGENDRER THERMO-IONIQUEMENT DES IMPULSIONS D'ELECTRONS A FORTE DENSITE. CET APPAREIL COMPORTE UNE CIBLE METALLIQUE 11 MAINTENUE SOUS UNE ATMOSPHERE DE VAPEUR DE CESIUM A BASSE PRESSION. UN LASER 17 PORTE RAPIDEMENT LA SURFACE DE LA CIBLE CESIEE 11 A UNE TEMPERATURE ELEVEE EN UN TEMPS QUI EST COURT COMPARATIVEMENT AU TEMPS DE SEJOUR A LA SURFACE DE LA CIBLE DES ATOMES DE CESIUM QUI Y SONT ABSORBES. EN COMBINAISON AVEC LA PRESENCE DES ATOMES DE CESIUM ABSORBES, CET ECHAUFFEMENT SUPERFICIEL RAPIDE DONNE LIEU A L'EMISSION DE GRANDES QUANTITES D'ELECTRONS EN CREANT UNE IMPULSION A FORTE DENSITE DE COURANT.</P>
申请公布号 FR2491257(A1) 申请公布日期 1982.04.02
申请号 FR19810007145 申请日期 1981.04.09
申请人 THERMO ELECTRON CORP 发明人 LEE CHUNGHSIN ET PETER E. OETTINGER;OETTINGER PETER E
分类号 H01J37/075;H01J3/02;H01J17/52;H01J35/00;H01J35/06;H01J37/06;H03K17/52;H03K17/78;(IPC1-7):H01J37/07 主分类号 H01J37/075
代理机构 代理人
主权项
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