DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE MEMORISATION PROGRAMMABLE A LECTURE SEULE, DE TYPE A JONCTION EN COURT-CIRCUIT

摘要

L'INVENTION SE RAPPORTE A UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE MEMORISATION PROGRAMMABLE A LECTURE SEULE DE TYPE A JONCTION EN COURT-CIRCUIT.SELON L'INVENTION, LE DISPOSITIF DE MEMORISATION COMPREND UNE REGION SEMI-CONDUCTRICE 21, 23, 25 COMPRENANT AU MOINS UNE JONCTION PN ET UNE ELECTRODE DE COMMANDE 32 COUPLEE A L'UNE DES JONCTIONS 22 OU 24. LA JONCTION EST DETRUITE EN UTILISANT UN EFFET D'INJECTION DE SUPPORT OU DE CHAMP DANS LA REGION SEMI-CONDUCTRICE AU MOYEN D'UNE TENSION APPLIQUEE A L'ELECTRODE DE COMMANDE 32.L'INVENTION PERMET UNE ECRITURE PLUS SURE ET PLUS AISEE DANS DE TELS DISPOSITIFS APRES DESTRUCTION DE LA JONCTION.