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PROCEDE POUR REDUIRE L'OXYDATION DE CHAMP LATERALE AU VOISINAGE DES REGIONS ACTIVES D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM DANS LEQUEL DES ELEMENTS DE CIRCUIT INTEGRES DOIVENT ETRE FORMES.ON FORME SUR LA SURFACE 12 DU SUBSTRAT 11 DES COUCHES SUCCESSIVES DE DIOXYDE DE SILICIUM, DE NITRURE DE SILICIUM ET DE TITANE (OU ALUMINIUM) QUE L'ON GRAVE ENSUITE AU FAISCEAU IONIQUE POUR FORMER UNE STRUCTURE MESA 25 CONTENANT LA FUTURE REGION ACTIVE 13. APRES ENLEVEMENT DE LA COUCHE DE TITANE, ON DEPOSE SUR LE SUBSTRAT UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM QUI, APRES GRAVURE AU FAISCEAU IONIQUE, NE SUBSISTE QUE SUR LES COTES ET LE DESSUS DE LA STRUCTURE MESA POUR LA PROTEGER PENDANT LA FORMATION DE L'OXYDE DE CHAMP. UNE FOIS CET OXYDE FORME, ON ENLEVE LE NITRURE RESTANT ET ON OXYDE LES COTES EXPOSES DE LA STRUCTURE MESA POUR FORMER UNE STRUCTURE PLANAIRE.APPLICATION A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES.
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