| 发明名称 |
High-voltage semiconductor switch. |
| 摘要 |
Hochvolt-Halbleiterschalter mit VMOS- oder DMOS-Konfiguration, wobei jede dieser Konfigurationen einen MOS-Transistor und einen pnp-Transistor aufweist mit dem gleichen Basis- und Drainstrom, woraus ein reduzierter «Ein»-Widerstand für den Hochvolt-Halbleiterschalter resultiert im Vergleich zu Schaltern dieser Art nach dem Stand der Technik, die einen hohen spezifischen Widerstand und ein verhältnismässig dickes Substrat aufweisen.
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| 申请公布号 |
EP0047392(A2) |
申请公布日期 |
1982.03.17 |
| 申请号 |
EP19810105991 |
申请日期 |
1981.07.30 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES, INC. |
发明人 |
PERNYESZI, JOSEPH |
| 分类号 |
H01L27/092;H01L21/331;H01L21/8238;H01L27/07;H01L29/73;H01L29/739;H01L29/78;H03K17/567;(IPC1-7):H01L27/06;H03K17/00 |
主分类号 |
H01L27/092 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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